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PRODUCT製品一覧

薄膜アルミナセラミック基板

構造例

  • Ta2N/Ti/Pd/Au
  • 斜視図

用途・特徴

  • 試作から量産まで高品質の製品を短納期でご提供致します。
  • マイクロ波・ミリ波帯で使用する送受信機用回路基板です。
  • 小型抵抗アレイ、計測機器回路用基板、通信機、レーダーに使用。
  • 導体、薄膜抵抗、薄膜キャパシタ、薄膜インダクタの同時搭載が可能です。

製品仕様

製品仕様

項 目 仕 様
材質 アルミナ 99.5%・96%、石英ガラス / 窒化アルミ
厚み アルミナ 0.1t、0.15t、0.2t、0.254t、0.381t、0.635t、1.0t 他
石英ガラス 0.1t、0.2t
厚み公差 ±10% NLT±0.05mm
膜構成 導体 接着層:Ti、Ni-Cr
導体層:Pd / Au、Cu / Ni / Au
※Cu・Ni・Auは、ご指定の厚みで可能
抵抗体 Ta2N 50Ω/□
外形寸法 0.5mm×0.5mm~90mm×90mm
外形公差 ±0.05mm
ライン/スペース 25μm / 15μm( Ti / Pd / Auの場合)
スルーホール 0.1t・0.15tは不可、0.2t~0.381t ≦ Φ0.25、0.635t以上 ≦ Φ0.5

品質特性

試験項目 試験結果
導体膜 ボンディング性 Au φ25μm / 3.0gF以上
ダイボンディング性 0.6kgF以上
膜強度 0.8kgF / mm以上
抵抗膜 抵抗温度係数(TCR) -50~-120PPM / ℃
抵抗変化率 125℃ / 96時間 ±0.5%以内
抵抗値の許容差 ±5%以内(要トリミング)
  • 記載の無い仕様は、弊社標準仕様に準じます。